科技创新人物事迹
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增大字体生长非线性光学晶体的先河。
这个发生在80年代中期的故事一度产生了不小的震动。教授参与外贸，不仅冲破了几千年来“君子重义，小人重利”的传统观念，而且还打破了我国“高技术只进不出的沉闷局面”，是商品经济发展的产物，也是新技术革命时代的必然趋势。1986年11月2日《人民日报》为此还以“教授言商”为题作了专门的报道和评论。
高质量KTP晶体不但打破了国外的技术封锁，而且被誉为我国高技术产品出口“零的突破”。KTP晶体出口是当时这届广交会数额最大的高技术出口贸易项目，全国各大报纸纷纷争先报道，KTP名传四方。
如今，KTP晶体和光波导材料已经广泛地应用为激光打标机、激光焊接机、激光美容、建筑、舞台装饰、激光笔等诸多领域，历经二十余年而不衰。
蒋民华高度重视研究的应用前景，探索出了一套研究、开发、产业化的路子。从建所初期他就确定了以应用为导向的研究方向，始终注重研究成果的开发、利用。他一贯主张，材料研究所一定要拿出货真价实的材料，研究材料为了用，还要产学研相结合。在信息时代，半导体材料是功能材料的主体。由于历史的原因，中国功能晶体研究和半导体材料的研究长期以来有一定的分离。蒋民华深深认识到，半导体和人工晶体之间不应该存在鸿沟，因此，他在国家重点实验室的研究方向上加上了“低维材料的制备及研究”这一和半导体前沿密切相关的方向并争取列入国家科研计划。在国家计委和ｘｘ省的支持下，1998年他们还承担了国家产业化前期关键技术开发重大项目“半导体发光器件外延工艺和管芯技术”，以此为契机，开展了一个全新模式的研发工作。
在ｘｘ省的支持下，ｘｘ大学和华光集团联合建立了ｘｘ华光光电子公司，ｘｘ大学以科研成果作为技术入股，开始了新的尝试和奋斗。在这个项目中，蒋民华担任了总的技术负责人，这是迄今为止，ｘｘ省信息产业规模最大、国家和省拨款最多的产学研结合项目。经过三年多的努力，“半导体发光器件外延工艺和管芯技术”课题于2004年4月正式通过验收。《科学时报》等纷纷以我国半导体发光器件拥有“中国心”作大标题报道了这一重要进展。这一成果，打破了半导体外延材料与管芯技术被发达国家垄断的局面，对发展ｘｘ省拥有自主知识产权的高新技术，促进产业结构的调整具有重大意义。
20世纪初，在发展第二代半导体薄膜材料，初步实现LED产业的基础上，蒋民华又看准时机，决定切入宽禁带半导体单晶新领域。SiC、GaN等宽禁带半导体被称为第三代半导体，是制作高温、高频、高迁移率、大功率半导体器件的关键材料，也是功率型固体照明的理想衬底。以SiC为基础的大功率半导体器件的发展瓶颈在于高质量的SiC单晶生长及其产业化。该项技术国内长期没有过关。在美国被视为战略物资并对我国实施禁运的情况下，只有靠自己力量发展，而生长SiC过去没有工作基础，起步又晚，难度确实很大。
要后来居上，就得跨越式发展。为此，蒋民华采取了以下重大决策：（1）从产业化着眼，高起点地进行研发。为此他抓住211工程二期的大好机遇，重点投入，从国外同时购进两台先进的生长设备，以加快研发速度。（2）生长和加工并举。SiC是硬度仅次于金刚石的晶体，极难加工，因此在生长和完善SiC晶体的同时，千方百计解决SiC切磨抛技术，从单片发展到成批加工。（3）直接和器件研发单位挂钩，把材料直接置于应用器件研发的链条中，使器件的性能需求变成优化晶体材料质量的动力，从生长到加工真正实现“开盒即用”的指标，从而极大地加速了SiC的质量的提高。（4）在充分熟悉生长工艺和消化吸收的基础上，仿制并改进进口设备，实现再创新，为PVT生长设备国产化和SiC单晶的产业化打下基础。
SiC课题组出色地实施了蒋民华的决策和部署，不断解决生长和加工的科学问题和技术难关，从2吋到3吋，从6H到4H，终于掌握了n型和半绝缘SiC体块单晶的生长和加工技术，为实现微波大功率器件从材料到器件整套工艺的国产化奠定了基础，对打破禁运、满足国家重大需求，跨出了极为重要的一步。在此基础上再接再厉，又成功地研制出碳化硅单晶炉，并生长出质量不逊于进口设备生长的SiC单晶。碳化硅单晶产业化最后一个难关被成功攻破，实现了从单晶生长炉制造、单晶生长、衬底加工和应用的全部国产化试验。
蒋民华院士始终思考着中国人工晶体可持续发展的战略，鼓励和支持每一项人工晶体的开发和研究。在他事业和人格魅力的感召下，一批从事晶体研究的精英人士从海外归来，一批有创新能力的青年骨干投身晶体事业，一支有创新能力的学术队伍正在成长，晶体事业兴旺发达。
蒋民华院士一直强调晶体生长基础理论研究和应用同样重要，强调晶体生长是科学和技艺的结合，不能厚此薄彼，两方面都要抓。KDP是目前唯一可以用于惯性约束聚变（ICF）“神光”工程的关键材料，国际上对此实施禁运，成为制约“神光”工程顺利进行的最大阻碍，负责“神光”工程的领导曾用“卡脖子”评述这一困难。在蒋民华的领导、支持下，ｘｘ大学晶体所经过几代人的努力，几十年的坚持，使ｘｘ大学的大尺寸晶体在新时期国防基石的建设中起到了基础性作用。就是这样一个应用目标非常明确的课题，他也经常督促大KDP课题组人员要重视基础研究，要充分利用计算机模拟方法研究不同条件对晶体生长的影响。
因其高尚的科学道德、开拓创新的科学精神、严谨端正的工作作风，蒋民华当之无愧地被公认为我国人工晶体界学术带头人之一，为我国人工晶体事业走向世界作出了突出贡献。蒋民华生前担任国际晶体生长组织（IOCG）理事和执委会委员，亚洲晶体生长和晶体技术协会主席。他积极组织和参加国内外学术交流活动。蒋先生一直强调，中国的晶体一定要走向世界。为此，他和被称为“晶体界三驾马车”的闵乃本院士、陈创天院士等自20世纪80年代起就制定了中国晶体材料走向世界的蓝图。正是由于他们的努力，中国的晶体生长组织早已成为国际晶体生长组织的一员。本篇文章来自资料管理下载。2010年8月，被誉为晶体生长奥林匹克大会的第16届国际晶体生长会议在北京成功召开，实现了先生的夙愿——中国晶体材料研究真正走向了世界并处于世界领先水
这个发生在80年代中期的故事一度产生了不小的震动。教授参与外贸，不仅冲破了几千年来“君子重义，小人重利”的传统观念，而且还打破了我国“高技术只进不出的沉闷局面”，是商品经济发展的产物，也是新技术革命时代的必然趋势。1986年11月2日《人民日报》为此还以“教授言商”为题作了专门的报道和评论。
高质量KTP晶体不但打破了国外的技术封锁，而且被誉为我国高技术产品出口“零的突破”。KTP晶体出口是当时这届广交会数额最大的高技术出口贸易项目，全国各大报纸纷纷争先报道，KTP名传四方。
如今，KTP晶体和光波导材料已经广泛地应用为激光打标机、激光焊接机、激光美容、建筑、舞台装饰、激光笔等诸多领域，历经二十余年而不衰。
蒋民华高度重视研究的应用前景，探索出了一套研究、开发、产业化的路子。从建所初期他就确定了以应用为导向的研究方向，始终注重研究成果的开发、利用。他一贯主张，材料研究所一定要拿出货真价实的材料，研究材料为了用，还要产学研相结合。在信息时代，半导体材料是功能材料的主体。由于历史的原因，中国功能晶体研究和半导体材料的研究长期以来有一定的分离。蒋民华深深认识到，半导体和人工晶体之间不应该存在鸿沟，因此，他在国家重点实验室的研究方向上加上了“低维材料的制备及研究”这一和半导体前沿密切相关的方向并争取列入国家科研计划。在国家计委和ｘｘ省的支持下，1998年他们还承担了国家产业化前期关键技术开发重大项目“半导体发光器件外延工艺和管芯技术”，以此为契机，开展了一个全新模式的研发工作。
在ｘｘ省的支持下，ｘｘ大学和华光集团联合建立了ｘｘ华光光电子公司，ｘｘ大学以科研成果作为技术入股，开始了新的尝试和奋斗。在这个项目中，蒋民华担任了总的技术负责人，这是迄今为止，ｘｘ省信息产业规模最大、国家和省拨款最多的产学研结合项目。经过三年多的努力，“半导体发光器件外延工艺和管芯技术”课题于2004年4月正式通过验收。《科学时报》等纷纷以我国半导体发光器件拥有“中国心”作大标题报道了这一重要进展。这一成果，打破了半导体外延材料与管芯技术被发达国家垄断的局面，对发展ｘｘ省拥有自主知识产权的高新技术，促进产业结构的调整具有重大意义。
20世纪初，在发展第二代半导体薄膜材料，初步实现LED产业的基础上，蒋民华又看准时机，决定切入宽禁带半导体单晶新领域。SiC、GaN等宽禁带半导体被称为第三代半导体，是制作高温、高频、高迁移率、大功率半导体器件的关键材料，也是功率型固体照明的理想衬底。以SiC为基础的大功率半导体器件的发展瓶颈在于高质量的SiC单晶生长及其产业化。该项技术国内长期没有过关。在美国被视为战略物资并对我国实施禁运的情况下，只有靠自己力量发展，而生长SiC过去没有工作基础，起步又晚，难度确实很大。
要后来居上，就得跨越式发展。为此，蒋民华采取了以下重大决策：（1）从产业化着眼，高起点地进行研发。为此他抓住211工程二期的大好机遇，重点投入，从国外同时购进两台先进的生长设备，以加快研发速度。（2）生长和加工并举。SiC是硬度仅次于金刚石的晶体，极难加工，因此在生长和完善SiC晶体的同时，千方百计解决SiC切磨抛技术，从单片发展到成批加工。（3）直接和器件研发单位挂钩，把材料直接置于应用器件研发的链条中，使器件的性能需求变成优化晶体材料质量的动力，从生长到加工真正实现“开盒即用”的指标，从而极大地加速了SiC的质量的提高。（4）在充分熟悉生长工艺和消化吸收的基础上，仿制并改进进口设备，实现再创新，为PVT生长设备国产化和SiC单晶的产业化打下基础。
SiC课题组出色地实施了蒋民华的决策和部署，不断解决生长和加工的科学问题和技术难关，从2吋到3吋，从6H到4H，终于掌握了n型和半绝缘SiC体块单晶的生长和加工技术，为实现微波大功率器件从材料到器件整套工艺的国产化奠定了基础，对打破禁运、满足国家重大需求，跨出了极为重要的一步。在此基础上再接再厉，又成功地研制出碳化硅单晶炉，并生长出质量不逊于进口设备生长的SiC单晶。碳化硅单晶产业化最后一个难关被成功攻破，实现了从单晶生长炉制造、单晶生长、衬底加工和应用的全部国产化试验。
蒋民华院士始终思考着中国人工晶体可持续发展的战略，鼓励和支持每一项人工晶体的开发和研究。在他事业和人格魅力的感召下，一批从事晶体研究的精英人士从海外归来，一批有创新能力的青年骨干投身晶体事业，一支有创新能力的学术队伍正在成长，晶体事业兴旺发达。
蒋民华院士一直强调晶体生长基础理论研究和应用同样重要，强调晶体生长是科学和技艺的结合，不能厚此薄彼，两方面都要抓。KDP是目前唯一可以用于惯性约束聚变（ICF）“神光”工程的关键材料，国际上对此实施禁运，成为制约“神光”工程顺利进行的最大阻碍，负责“神光”工程的领导曾用“卡脖子”评述这一困难。在蒋民华的领导、支持下，ｘｘ大学晶体所经过几代人的努力，几十年的坚持，使ｘｘ大学的大尺寸晶体在新时期国防基石的建设中起到了基础性作用。就是这样一个应用目标非常明确的课题，他也经常督促大KDP课题组人员要重视基础研究，要充分利用计算机模拟方法研究不同条件对晶体生长的影响。
因其高尚的科学道德、开拓创新的科学精神、严谨端正的工作作风，蒋民华当之无愧地被公认为我国人工晶体界学术带头人之一，为我国人工晶体事业走向世界作出了突出贡献。蒋民华生前担任国际晶体生长组织（IOCG）理事和执委会委员，亚洲晶体生长和晶体技术协会主席。他积极组织和参加国内外学术交流活动。蒋先生一直强调，中国的晶体一定要走向世界。为此，他和被称为“晶体界三驾马车”的闵乃本院士、陈创天院士等自20世纪80年代起就制定了中国晶体材料走向世界的蓝图。正是由于他们的努力，中国的晶体生长组织早已成为国际晶体生长组织的一员。本篇文章来自资料管理下载。2010年8月，被誉为晶体生长奥林匹克大会的第16届国际晶体生长会议在北京成功召开，实现了先生的夙愿——中国晶体材料研究真正走向了世界并处于世界领先水
